应变
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科学家实现沉积工艺突破，成功开发120层高密度3D DRAM结构
IT之家 8 月 26 日消息，众所周知，现在 NAND 闪存普遍采用 3D 堆叠结构。短短十年内，3D NAND 层数就从 2014 年的 24 层增加到了 SK 海力士的 321 层（2024 年 11 月宣布量产），而我国的长江存储第五代 3D TLC NAND 闪存据传也达到了 294 层之
2025-08-26 15:47:00